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本发明公开了一种单行载流子光电探测器及其制备方法和使用方法，涉及半导体光电器件领域。对于传统UTC‑PD，在大功率条件下，过量的光生电子会在异质结界面的二维电子气处积累，造成器件性能下降。本发明的UTC‑PD器件中，在横向电场的作用下，光生...
该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。

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