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本发明提供去除光刻胶的方法及去胶机台,去胶机台包括承载台,承载台用于支撑晶圆,晶圆靠近承载台的一面充分接触反应气体,以使在去胶工艺中晶圆靠近承载台的一面形成保护层。在后续湿法清洗工艺中,湿法药液中的羟胺组分与保护层几乎不发生反应,有效保护经...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本发明提供去除光刻胶的方法及去胶机台,去胶机台包括承载台,承载台用于支撑晶圆,晶圆靠近承载台的一面充分接触反应气体,以使在去胶工艺中晶圆靠近承载台的一面形成保护层。在后续湿法清洗工艺中,湿法药液中的羟胺组分与保护层几乎不发生反应,有效保护经...