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一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成第一介质层；在第一介质层上形成第二介质层；在第二介质层内形成第一开口，所述第一开口暴露出第一介质层表面；形成第一开口之后，在第二介质层表面形成第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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