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本公开提供能抑制高频特性的劣化的半导体装置。半导体装置具备：半导体芯片(10)，具备基板(11)、晶体管(60)以及金属图案(20)，其中，所述晶体管(60)设于所述基板的上表面，具有供高频信号输入的输入电极、供高频信号输出的输出电极以及被...
该专利属于住友电工光电子器件创新株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电工光电子器件创新株式会社授权不得商用。

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