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本发明公开了一种半导体器件，其包含衬底、第一金属层位于所述衬底上、第一介电层位于所述第一金属层上、双镶嵌金属结构穿过所述第一金属层与所述第一介电层且部分位于所述衬底内、氧化半导体层位于所述双镶嵌金属结构与所述第一金属层之间、金属氧化物层位于...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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