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本发明公开了一种提高碳化硅原料利用率的坩埚结构，包括坩埚主体和石墨环，其中，坩埚主体的腔室内设有第一多孔套筒和第二多孔套筒，第一多孔套筒和第二多孔套筒同轴设置，且第一多孔套筒的截面直径大于第二多孔套筒的截面直径；第一多孔套筒和第二多孔套筒之...
该专利属于深圳市国碳半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市国碳半导体科技有限公司授权不得商用。

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