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本发明涉及发光二极管技术领域，公开了一种GaN基发光二极管的外延片及其制备方法，包括衬底、于衬底上依次生长的缓冲层、无掺杂的GaN层、N型层、应力释放层、多量子阱层和P型层，还包括设置于所述N型层和所述应力释放层之间的缺陷改善层，所述缺陷改...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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