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本发明公开了一种电卡制冷增强散热的氮化镓器件，主要解决目前GaN材料由于导热系数低，器件在大功率下散热困难，自热现象严重的问题。自下而上包括热沉层、传热界面层、电卡制冷层、衬底层、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层(1，2，3，4，5，6，7，...
该专利属于西安电子科技大学广州研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学广州研究院授权不得商用。

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