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一种硅基光电阴极及其制备方法，光电阴极包括依次设置的p‑Si基底层、Cu2O层和保护层；p‑Si基底层与Cu2O层构造p‑pZ型异质结；保护层为苯乙炔铜，包覆在Cu2O表面形成保护层；制备方法为，p型硅片表面制绒，制备具有纳米金字塔形貌的p...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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