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本申请涉及一种氧化镓MOS管的建模方法，包括：对所述氧化镓MOS管的电学模型和温度模型进行耦合，得到所述氧化镓MOS管的电热耦合效应模型，所述电学模型包括所述全局表面电势方程、所述沟道电荷方程、所述漏极电流方程和所述端电荷方程，所述温度模型...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

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