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本发明公开了一种二维铁磁半导体材料及理论设计方法，属于二维磁性半导体性能调控技术领域。二维铁磁半导体材料的化学式为Cr<subgt;2</subgt;XP(X＝As,Sb)具有空间群为P4/nmm，a＝b，角度为90°的四方结构...
该专利属于兰州交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过兰州交通大学授权不得商用。

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