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本发明提供衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。具备：具有第1处理组件；第2处理组件；第1排气箱；第1供给箱；第2排气箱，其与第2处理组件背面相邻地配置，并收纳有对第2处理容器内进行排气的第2排气系统；第2供给箱，其在第2排气箱的与...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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