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本发明公开了一种基于闪烁噪声的预测半导体器件寿命的方法，涉及半导体器件技术领域。本发明通过数据采集模块测量半导体器件在经历恒定电学应力加速退化后的闪烁噪声和半导体器件初始的闪烁噪声功率谱密度(PSD)，特征提取模块提取特征频率下的PSD幅值...
该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。

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