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本发明公开了一种硅片的表面处理方法，包括以下步骤：S1、连续提供硅片；S2、使所述硅片通过混合气体环境，对所述硅片进行紫外光照射，去除所述硅片表面的有机物、由表面朝所述硅片内部生长二氧化硅形成表面氧化层并去除其表面的金属离子；所述混合气体为...
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