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本发明涉及一种非破坏性面发射半导体激光器电流限制孔径测定方法，属于半导体光电子技术领域。所述测定方法可测量观看所有波段面的发射激光器，并可以测定各种面发射半导体激光器电流限制孔，包括可测量长度的刻度显微镜，测定时，首先将待测半导体激光器施加...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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