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本发明提供一种金刚石氮化铝异质结场效应晶体管及其制备方法,该方法包括:在金刚石衬底上表面的目标区域制备保护层。对目标区域之外的金刚石衬底表面进行氧等离子体处理,得到氧终端。去除目标区域的保护层,并在氧终端的遮蔽下,在目标区域外延生长氮化铝,...该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。
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本发明提供一种金刚石氮化铝异质结场效应晶体管及其制备方法,该方法包括:在金刚石衬底上表面的目标区域制备保护层。对目标区域之外的金刚石衬底表面进行氧等离子体处理,得到氧终端。去除目标区域的保护层,并在氧终端的遮蔽下,在目标区域外延生长氮化铝,...