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本技术提供了一种碳化硅生长装置和碳化硅生长炉，涉及碳化硅晶体生长技术领域，该碳化硅生长装置包括坩埚本体、坩埚盖和调温件，坩埚本体具有容纳腔，且坩埚本体的顶部设置有生长环，生长环内形成有与容纳腔连通的生长腔；坩埚盖设置在坩埚本体的顶部，并接合...
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