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本申请提供晶圆键合结构及其形成方法，所述结构包括：第一晶圆，所述第一晶圆包括主体区、修边区和洗边区，所述第一晶圆表面形成有第一介质层，所述洗边区的部分第一介质层被去除形成第一缺口，所述第一缺口被与所述第一介质层表面平齐的第一填充层填满；第二...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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