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本发明提供一种原子层沉积制备AlScN薄膜的方法，该方法包括：将衬底放入沉积室；将沉积室抽真空至预设压力后，将沉积室加热，并向沉积室中恒定通入载气；在衬底的表面进行a次AlN沉积循环；进行b次ScN沉积循环；重复a次AlN沉积循环和b次Sc...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

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