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公开了用于填充衬底上的凹陷特征的方法。该方法可以包括：提供具有包括金属衬里层的凹陷特征的衬底，部分蚀刻金属衬里，随后采用蚀刻和循环沉积过程的组合用间隙填充材料填充凹陷特征。还公开了包括设置在凹陷特征中的间隙填充金属膜的半导体结构。...
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