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本发明公开了一种无衬底和电极自支撑结构HfO<subgt;2</subgt;基铁电薄膜的制备方法，属于薄膜制备领域，包括步骤：在带有SiO<subgt;2</subgt;层的硅衬底上沉积底电极；在底电极表面沉积HfO...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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