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SiC P型和低电阻率晶体、晶棒、晶圆和设备及其制造方法技术
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文档序号:41071284
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掺杂SiOC液体起始材料提供p型聚合物衍生的陶瓷SiC晶体材料,包括晶棒和晶圆。p型SiC电子设备。低电阻率SiC晶体、晶圆和晶棒以磷作为掺杂剂。用于掺杂SiC晶体气相沉积生长的聚合物衍生的陶瓷掺杂SiC成形装料源材料。...
该专利属于帕里杜斯有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过帕里杜斯有限公司授权不得商用。
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