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本发明涉及一种带有复合保护环结构的雪崩光电二极管及其制作方法，属于电子器件领域。该二极管结构包括：衬底；在衬底表面外延形成的吸收区；在吸收区中通过第一导电类型的离子掺杂形成的雪崩区；在雪崩区表面通过第二导电类型的离子掺杂形成的光敏区；在雪崩...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十四研究所授权不得商用。

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