温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种深紫外LED器件及其外延生长方法，上述深紫外LED器件包括沿生长方向依次层叠设置的AlN衬底、AlN恢复层、第一应力缓解层、第二应力缓解层、电子注入层、N型电子阻挡层、量子阱有源层、P型电子阻挡层、空穴注入层以及欧姆接触层，...
该专利属于武汉优炜芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉优炜芯科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。