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基于氮化物的半导体器件包括第一基于氮化物的半导体层，第二基于氮化物的半导体层，第一电极和第二电极，栅电极，钝化层和场板。第二基于氮化物的半导体层设置在第一基于氮化物的半导体层上，并且具有比第一基于氮化物的半导体层的带隙大的带隙。第一电极和第...
该专利属于英诺赛科（苏州）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（苏州）半导体有限公司授权不得商用。

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