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本发明提供了一种低体二极管压降的碳化硅超结沟槽栅MOSFET的制造方法，取设有漂移层的碳化硅衬底，在碳化硅衬底上淀积金属，形成漏极金属层，之后在漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层刻蚀形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，形成超结区；通过离子注...
该专利属于泰科天润半导体科技（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰科天润半导体科技（北京）有限公司授权不得商用。

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