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本发明公开了一种功率器件及其制备方法，制备方法包括：在衬底的一侧形成沟道层；在沟道层远离衬底的一侧形成势垒层；在势垒层远离沟道层的表面形成至少一个栅极结构；其中，栅极结构覆盖部分势垒层；在栅极结构远离势垒层的一侧形成绝缘层；在绝缘层远离栅极...
该专利属于英诺赛科（苏州）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（苏州）半导体有限公司授权不得商用。

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