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本申请提供一种导电插塞的形成方法，包括：提供一衬底，衬底中形成源端、漏端，衬底上形成有栅极结构和绝缘介质层；形成阻挡层；形成金属材料层；研磨去除接触孔顶端的金属材料层、阻挡层；进行第一次去离子水冲洗；研磨去除接触孔中的部分阻挡层和部分厚度的...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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