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本技术涉及一种可抑制短路失效的IGBT器件。其包括具有第一导电类型的衬底、制备于所述衬底正面的正面元胞结构以及制备于所述衬底背面的背面电极结构，在所述IGBT器件的截面上，背面电极结构包括若干在衬底背面依次交替排布的第一导电类型集电区以及第...
该专利属于江苏芯长征微电子集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏芯长征微电子集团股份有限公司授权不得商用。

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