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本公开涉及一种层状结构(200、300)，包括：衬底(110)，包括p型半导体材料；在衬底(110)上的多个半导体层(120)，包括至少一个p‑on‑n结；以及隧道结层(130)，在该衬底(110)和该多个半导体层之间。...
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