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本公开涉及用于具有单电阻器或双电阻器存储器元件的分区存储器架构的校准方法和结构。公开的结构包括分区存储器架构，其包括单或双电阻器存储器元件，被配置用于具有最小局部IR降的存储器内管线处理，且还包括附加电路以便于校准处理。当存储器内管线处理暂...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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