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一种检测半导体中的原子级缺陷的方法，包括以下步骤：用场发射扫描电子显微镜(SEM)扫描所述半导体的表面，以形成其SEM图像；用光探测器和单色仪扫描所述SEM图像，以获得所述SEM图像的阴极发光(CL)强度空间映射图；确定CL光谱，即CL强度...
该专利属于香港大学所有，仅供学习研究参考，未经过香港大学授权不得商用。

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