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本发明公开了一种生长大晶粒铸造多晶硅的方法，包括：将中心开孔的石英片铺在坩埚底部；其中石英片为梯形体结构，石英片的两平行底面中面积较小的底面与所述坩埚底部接触；先将单晶硅块填入所述石英片的开孔位置，再依次放入多晶硅原料和掺杂元素；加热使多晶...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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