温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种射频器件、纳米栅极的制备方法及射频器件的制造方法。射频器件包括外延结构以及与所述外延结构匹配的源极、漏极、支撑层和栅极，所述栅极沿第二方向设置在所述源极、所述漏极之间，所述支撑层沿第一方向层叠设置在所述外延结构上，所述栅极包...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。