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本发明提供一种氮化镓异质结功率二极管及其制备方法，制备方法包括：在衬底的第一面上形成n型掺杂的GaN漂移层；在衬底的第二面上形成阴极；在GaN漂移层上沉积绝缘介质层，在绝缘介质层中形成显露GaN漂移层的器件窗口；在器件窗口中形成P型NiO层...
该专利属于东莞市中镓半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市中镓半导体科技有限公司授权不得商用。

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