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本发明提供了一种存储器结构及其集成方法，属于半导体技术领域。所述存储器结构位于一个半导体衬底上，自下而上包括晶体管层、中间金属互连层、放大电容层和上层金属互连层，晶体管层包括并排放置的一个N型和一个P型低功耗双导器件，中间金属互连层包括接触...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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