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本发明提供的深紫外发光二极管首先通过在电流扩展层上沉积图形化绝缘层，图形化绝缘层至少暴露部分电流扩展层，且图形化绝缘层的表面不能外延生长AlGaN材料，之后，在电流扩展层上还沉积上表面具有多个坑洞的AlGaN膜层，在不影响后续生长的量子阱有...
该专利属于武汉优炜芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉优炜芯科技有限公司授权不得商用。

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