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本技术涉及一种改进的电子注入增强型晶体管，包括n‑漂移区，n‑漂移区的上方中部形成n区，在n区上方形成p区，在p区上方局部形成两个分离的n+区，在n‑漂移区、p区、两个n+区上方形成氧化物层，两个分离的n+区引出作为发射极，在氧化物层的两个...
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