下载一种半导体外延结构及其制备方法、发光二极管的技术资料

文档序号:40976345

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体外延结构及其制备方法、发光二极管,其中,半导体外延结构包括依次设置在衬底上的缓冲层、N型半导体层、有源层及P型半导体层。缓冲层的材料为Al<subgt;x</subgt;In<subgt;y</...
该专利属于厦门三安光电有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过厦门三安光电有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。