下载一种改性MXene纳米片填充的高介电复合材料及其制备方法的技术资料

文档序号:40968904

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本发明公开了一种改性MXene纳米片填充的高介电复合材料及其制备方法。该复合材料通过下述方法制备:(1)采用盐酸和氟化锂对Ti<subgt;3</subgt;AlC<subgt;2</subgt;进行刻蚀,成功的制备...
该专利属于上海第二工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过上海第二工业大学授权不得商用。

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