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本发明公开了一种硅衬底上低温沉积氮化物薄膜的方法：采用化学法对单晶硅衬底进行预清洗及钝化：将硅衬底放入预先烘烤的真空腔室内，通入气体，利用真空腔室内的射频等离子体源对气体进行离化生成等离子体，等离子体对硅衬底进行物理和化学刻蚀；通入氮源气体...
该专利属于南昌大学所有，仅供学习研究参考，未经过南昌大学授权不得商用。

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