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本发明公开了一种低隧穿泄漏电流的功率器件及其制造方法。器件包括衬底及其上第一导电类型漂移区；位于漂移区上方的沟槽，漂移区及上方设有沟槽，且沟槽两侧设有异质材料区，异质材料区下方设有第二导电类型耐压区域，耐压区与沟槽间以漂移区隔开，沟槽内设有...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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