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本申请提供了一种端面耦合器的结构以及制备端面耦合器的方法，该端面耦合器的结构包括：硅衬底，硅衬底的第一表面的开设有第一凹槽，第一凹槽中填充有氧化物材料；设置于硅衬底第一表面之上的第一氧化层；设置于第一氧化层之上的第一波导；设置于第一波导之上...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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