温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种层状Ge<subgt;1‑x</subgt;Sb<subgt;4+x</subgt;Te<subgt;7</subgt;单晶体及其制备方法，涉及晶体材料制备技术领域。所述制备方法采用特定配...
该专利属于季华实验室所有，仅供学习研究参考，未经过季华实验室授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。