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本发明公开了一种单片集成硅基III‑V族多波长激光器及制备方法，制备方法包括用SOI衬底的顶层硅层制备叉形耦合器和合波器，制备第一二氧化硅层，在第一二氧化硅层和SOI衬底的掩埋氧化层中制备矩形沟槽阵列，在矩形沟槽底部的SOI衬底的衬底硅层中...
该专利属于湖北理工学院所有，仅供学习研究参考，未经过湖北理工学院授权不得商用。

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