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本发明提出了一种全范德华界面拓扑相变忆阻器及其制备方法，涉及半导体信息存储和人工突触器件技术领域。其制备步骤为：采用脉冲激光沉积法在衬底层上沉积底电极层；采用脉冲激光沉积法，在钙钛矿型衬底上依次沉积钙钛矿牺牲层和存储介质层；采用湿法转移法将...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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