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一种具有P型GaN栅增强型GaN晶体管结构及其制备方法，其结构包括自下而上依次设置的衬底层、III‑N复合缓冲层、GaN沟道层、III‑N势垒层，在III‑N势垒层上设置有直角梯形P型GaN栅、源电极和漏电极，P型GaN栅顶面设置栅金属电极...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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