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本申请提供一种防止光刻胶翘起的方法，涉及光刻工艺技术领域，方法包括：在基片表面涂覆光刻胶；对基片上的光刻胶进行曝光；通过在基片上的光刻胶曝光结束后，使得基片静置一定时间，以便于将位于非曝光区域的反应气体进行有效的释放。当反应气体被充分释放后...
该专利属于粤芯半导体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过粤芯半导体技术股份有限公司授权不得商用。

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