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本发明公开了一种过渡金属硫化物单晶晶圆的生长方法，包括以下步骤：1)将单晶蓝宝石退火；2)将退火后的蓝宝石晶圆作为基底，将过渡金属箔材平行于基底放置，在箔材与基底之间平行放置多孔阻隔层；3)在基底的气流上游放置硫单质；4)向低压化学气相沉积...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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