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一种控制量子处理元件的方法，所述量子处理元件包括：半导体基板；障壁材料，所述障壁材料形成于所述半导体基板上方，使得界面形成于所述半导体基板与所述障壁材料之间；栅极电极的布置；外部磁体；以及电子控制器，其中所述方法包括：通过将电压施加到所述栅...
该专利属于迪拉克私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过迪拉克私人有限公司授权不得商用。

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